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- [媒体报道]新一代芯片的散热新方法—氮化镓(gan)[ 2017-04-13 16:59 ]
- 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的ldmos管向以碳化硅(sic)、氮化镓(gan)为代表的宽禁带功率管过渡。sic、gan材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代ge、si半导体材料、第二代gaas、inp化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。
- http://www.coyomo.com/article/gan_1.html
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